IGBT-ni bosing
Press-pack IGBT (IEGT)
| TYPE | VDRM V | VRRM V | IT(AV)@80℃ A | ITGQM@CS A / mF | ITSM@10ms kA | VTM V | VTO V | rT mŌ | TVJM ℃ | Rthjc ℃/Vt | |
| CSG07E1400 | 1400 | 100 | 250 | 700 | 2 | 4 | ≤2.2 | ≤1,20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG07E1700 | 1700 | 16 | 240 | 700 | 1.5 | 4 | ≤2,5 | ≤1,20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG15F2500 | 2500 | 17 | 570 | 1500 | 3 | 10 | ≤2.8 | ≤1,50 | ≤0,90 | 125 | 0,027 |
| CSG20H2500 | 2500 | 17 | 830 | 2000 | 6 | 16 | ≤2.8 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG25H2500 | 2500 | 16 | 867 | 2500 | 6 | 18 | ≤3.1 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG30J2500 | 2500 | 17 | 1350 | 3000 | 5 | 30 | ≤2,5 | ≤1,50 | ≤0,33 | 125 | 0,012 |
| CSG10F2500 | 2500 | 15 | 830 | 1000 | 2 | 12 | ≤2,5 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG06D4500 | 4500 | 17 | 210 | 600 | 1 | 3.1 | ≤4,0 | ≤1,90 | ≤0,50 | 125 | 0,05 |
| CSG10F4500 | 4500 | 16 | 320 | 1000 | 1 | 7 | ≤3,5 | 1.9 | ≤0,35 | 125 | 0,03 |
| CSG20H4500 | 4500 | 16 | 745 | 2000 | 2 | 16 | ≤3.2 | ≤1,8 | ≤0,85 | 125 | 0,017 |
| CSG30J4500 | 4500 | 16 | 870 | 3000 | 6 | 16 | ≤4,0 | ≤2.2 | ≤0,60 | 125 | 0,012 |
| CSG40L4500 | 4500 | 16 | 1180 | 4000 | 3 | 20 | ≤4,0 | ≤2.1 | ≤0,58 | 125 | 0,011 |
Eslatma:D- d bilanyod qismi, A-diod qismisiz
An'anaviy ravishda, lehim kontaktli IGBT modullari moslashuvchan shahar uzatish tizimining o'tish moslamalarida qo'llanilgan.Modul to'plami bir tomonlama issiqlik tarqalishidir.Qurilmaning quvvat sig'imi cheklangan va ketma-ket ulanishga to'g'ri kelmaydi, tuzli havoda yomon ishlash muddati, zaif tebranish zarbasiga qarshi yoki termal charchoq.
Yangi turdagi press-kontaktli yuqori quvvatli press-paket IGBT qurilmasi nafaqat lehim jarayonida bo'sh joy, lehim materialining termal charchashi va bir tomonlama issiqlik tarqalishining past samaradorligini to'liq hal qiladi, balki turli komponentlar orasidagi issiqlik qarshiligini ham yo'q qiladi, hajmi va vaznini minimallashtirish.Va IGBT qurilmasining ish samaradorligi va ishonchliligini sezilarli darajada yaxshilang.Bu moslashuvchan shahar uzatish tizimining yuqori quvvatli, yuqori kuchlanishli, yuqori ishonchlilik talablarini qondirish uchun juda mos keladi.
Lehim kontakt turini press-pack IGBT bilan almashtirish juda zarur.
2010 yildan boshlab, Runau Electronics yangi turdagi press-paket IGBT qurilmasini ishlab chiqish va 2013 yilda ishlab chiqarishni muvaffaqiyatli amalga oshirish uchun ishlab chiqilgan. Ishlash milliy malaka tomonidan sertifikatlangan va eng so'nggi yutuqlarga erishilgan.
Endi biz 600A dan 3000A gacha bo'lgan IC diapazonidagi IGBT va 1700V dan 6500V gacha bo'lgan VCES diapazonida seriyali press-paket ishlab chiqarishimiz va taqdim etishimiz mumkin.Xitoyda ishlab chiqarilgan IGBT press-paketining Xitoyda moslashuvchan doimiy uzatish tizimida qo'llanilishi juda kutilmoqda va u yuqori tezlikda harakatlanuvchi elektr poezddan keyin Xitoy energiya elektronikasi sanoatining yana bir jahon darajasidagi milya toshiga aylanadi.
Oddiy rejim haqida qisqacha ma'lumot:
1. Rejim: IGBT CSG07E1700-ni bosing
●Qadoqlash va presslashdan keyin elektr xususiyatlari
● Orqagaparallelulangantez tiklanish diodixulosa qildi
● Parametr:
Nominal qiymat （25 ℃）
a.Kollektor emitter kuchlanishi: VGES=1700（V）
b.Darvoza emitent kuchlanishi: VCES = ± 20（V）
c.Kollektor oqimi: IC=800（A）ICP=1600（A）
d.Kollektor quvvatining tarqalishi: PC = 4440（W）
e.Ishlash nuqtasi harorati: Tj = -20 ~ 125 ℃
f.Saqlash harorati: Tstg = -40 ~ 125 ℃
Eslatma: agar nominal qiymatdan oshsa, qurilma buziladi
ElektrCxarakteristikalar, TC＝125℃，Rth (termal qarshilikbilan bog'lanishhol）kiritilmagan
a.Darvoza qochqin oqimi: IGES=±5（mA）
b.Kollektor emitentining blokirovka qiluvchi oqimi ICES=250（mA）
c.Kollektor emitentining to'yinganlik kuchlanishi: VCE(sat)=6(V)
d.Darvoza emitentining chegara kuchlanishi: VGE(th)=10(V)
e.Yoqish vaqti: Ton = 2,5 mks
f.O'chirish vaqti: Toff = 3 ms
2. Rejim: IGBT CSG10F2500-ni bosing
●Qadoqlash va presslashdan keyin elektr xususiyatlari
● Orqagaparallelulangantez tiklanish diodixulosa qildi
● Parametr:
Nominal qiymat （25 ℃）
a.Kollektor emitter kuchlanishi: VGES=2500（V）
b.Darvoza emitent kuchlanishi: VCES = ± 20（V）
c.Kollektor oqimi: IC=600（A）ICP=2000（A）
d.Kollektor quvvatining tarqalishi: PC = 4800 (W)
e.Ishlash nuqtasi harorati: Tj = -40 ~ 125 ℃
f.Saqlash harorati: Tstg = -40 ~ 125 ℃
Eslatma: agar nominal qiymatdan oshsa, qurilma buziladi
ElektrCxarakteristikalar, TC＝125℃，Rth (termal qarshilikbilan bog'lanishhol）kiritilmagan
a.Darvoza qochqin oqimi: IGES=±15（mA）
b.Kollektor emitentining blokirovka qiluvchi oqimi ICES=25（mA）
c.Kollektor emitentining to'yinganlik kuchlanishi: VCE(sat)=3,2 (V)
d.Darvoza emitentining chegara kuchlanishi: VGE(th)=6,3(V)
e.Yoqish vaqti: Ton = 3,2 mks
f.O'chirish vaqti: Toff = 9,8 mks
g.Diod Oldinga kuchlanish: VF=3,2 V
h.Diyotning teskari tiklanish vaqti: Trr=1,0 mks
3. Rejim: IGBT CSG10F4500-ni bosing
●Qadoqlash va presslashdan keyin elektr xususiyatlari
● Orqagaparallelulangantez tiklanish diodixulosa qildi
● Parametr:
Nominal qiymat （25 ℃）
a.Kollektor emitent kuchlanishi: VGES=4500（V）
b.Darvoza emitent kuchlanishi: VCES = ± 20（V）
c.Kollektor oqimi: IC=600（A）ICP=2000（A）
d.Kollektor quvvat sarfi: PC=7700（W）
e.Ishlash nuqtasi harorati: Tj = -40 ~ 125 ℃
f.Saqlash harorati: Tstg = -40 ~ 125 ℃
Eslatma: agar nominal qiymatdan oshsa, qurilma buziladi
ElektrCxarakteristikalar, TC＝125℃，Rth (termal qarshilikbilan bog'lanishhol）kiritilmagan
a.Darvoza qochqin oqimi: IGES=±15（mA）
b.Kollektor emitentining blokirovka qiluvchi oqimi ICES=50（mA）
c.Kollektor emitentining to'yinganlik kuchlanishi: VCE(sat)=3,9 (V)
d.Darvoza emitentining chegara kuchlanishi: VGE(th)=5,2 (V)
e.Yoqish vaqti: Ton = 5,5 mks
f.O'chirish vaqti: Toff = 5,5 mks
g.Diod Oldinga kuchlanish: VF=3,8 V
h.Diodning teskari tiklanish vaqti: Trr=2,0 mks
Eslatma:Press-pack IGBT uzoq muddatli yuqori mexanik ishonchlilik, shikastlanishga yuqori qarshilik va press-ulanish strukturasining xarakteristikasi bo'yicha afzalliklarga ega, ketma-ket qurilmada foydalanish uchun qulay va an'anaviy GTO tiristori bilan solishtirganda, IGBT kuchlanishli haydovchi usuli hisoblanadi. .Shuning uchun, foydalanish oson, xavfsiz va keng foydalanish diapazoni.