Tiristor chipi
Tiristor chipi
RUNAU Electronics tomonidan ishlab chiqarilgan tiristor chipi dastlab GE qayta ishlash standarti va texnologiyasi tomonidan taqdim etilgan bo'lib, u AQSh dastur standartiga mos keladi va butun dunyo bo'ylab mijozlar tomonidan malakaga ega.U kuchli termal charchoqqa chidamlilik xususiyatlari, uzoq xizmat muddati, yuqori kuchlanish, katta oqim, kuchli atrof-muhitga moslashuvchanligi va boshqalar bilan ajralib turadi. 2010 yilda RUNAU Electronics GE va Evropa texnologiyasining an'anaviy afzalliklarini, ishlash va ishlash qobiliyatini birlashtirgan tiristor chipining yangi namunasini ishlab chiqdi. samaradorligi ancha optimallashtirildi.
Parametr:
| Diametri mm | Qalinligi mm | Kuchlanishi V | Darvoza Dia. mm | Katodning ichki diametri. mm | Katod chiqishi dia. mm | Tjm ℃ |
| 25.4 | 1,5±0,1 | ≤2000 | 2.5 | 5.6 | 20.3 | 125 |
| 25.4 | 1,6-1,8 | 2200-3500 | 2.6 | 5.6 | 15.9 | 125 |
| 29.72 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 24.5 | 125 |
| 32 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 26.1 | 125 |
| 35 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.8 | 7.6 | 29.1 | 125 |
| 35 | 2.1-2.4 | 2200-4200 | 3.8 | 7.6 | 24.9 | 125 |
| 38.1 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 32.8 | 125 |
| 40 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 33.9 | 125 |
| 40 | 2.1-2.4 | 2200-4200 | 3.5 | 8.1 | 30.7 | 125 |
| 45 | 2,3±0,1 | ≤2000 | 3.6 | 8.8 | 37.9 | 125 |
| 50.8 | 2,5±0,1 | ≤2000 | 3.6 | 8.8 | 43.3 | 125 |
| 50.8 | 2.6-2.9 | 2200-4200 | 3.8 | 8.6 | 41.5 | 125 |
| 50.8 | 2.6-2.8 | 2600-3500 | 3.3 | 7 | 41.5 | 125 |
| 55 | 2,5±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 8.8 | 47.3 | 125 |
| 55 | 2,5-2,9 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 45.7 | 125 |
| 60 | 2,6-3,0 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 49.8 | 125 |
| 63.5 | 2.7-3.1 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 53.4 | 125 |
| 70 | 3,0-3,4 | ≤4200 | 5.2 | 10.1 | 59.9 | 125 |
| 76 | 3.5-4.1 | ≤4800 | 5.2 | 10.1 | 65.1 | 125 |
| 89 | 4-4.4 | ≤4200 | 5.2 | 10.1 | 77.7 | 125 |
| 99 | 4,5-4,8 | ≤3500 | 5.2 | 10.1 | 87.7 | 125 |
Texnik spetsifikatsiya:
RUNAU Electronics fazali boshqariladigan tiristor va tez o'zgaruvchan tiristorning quvvatli yarimo'tkazgich chiplarini taqdim etadi.
1. Past darajadagi kuchlanish pasayishi
2. Alyuminiy qatlamining qalinligi 10 mikrondan ortiq
3. Ikki qavatli himoya mesa
Maslahatlar:
1. Yaxshi ishlashi uchun chip azot yoki vakuum holatida saqlanishi kerak, chunki molibden parchalarining oksidlanishi va namligi tufayli kuchlanish o'zgarishiga yo'l qo'ymaslik kerak.
2. Chip yuzasini doimo toza tuting, iltimos, qo'lqop kiying va chipga yalang qo'l bilan tegmang.
3. Foydalanish jarayonida ehtiyotkorlik bilan ishlang.Chipning qatron qirrasi yuzasiga va eshik va katodning qutb sohasidagi alyuminiy qatlamiga zarar bermang.
4. Sinov yoki inkapsulyatsiyada, moslamaning parallelligi, tekisligi va qisqich kuchi belgilangan standartlarga mos kelishi kerakligini unutmang.Yomon parallelizm notekis bosim va chiplarning kuch bilan shikastlanishiga olib keladi.Agar ortiqcha qisqich kuchi qo'llanilsa, chip osongina shikastlanadi.Agar o'rnatilgan qisqich kuchi juda kichik bo'lsa, zaif aloqa va issiqlik tarqalishi dasturga ta'sir qiladi.
5. Chipning katod yuzasi bilan aloqa qiladigan bosim bloki tavlantirilishi kerak
Qisqich kuchini tavsiya eting
| Chips hajmi | Qisqich kuchi bo'yicha tavsiya |
| （KN）±10% | |
| PH 25.4 | 4 |
| PH30 yoki PH30.48 | 10 |
| PH 35 | 13 |
| PH38 yoki PH40 | 15 |
| PH50.8 | 24 |
| PH 55 | 26 |
| PH60 | 28 |
| PH63.5 | 30 |
| PH70 | 32 |
| PH76 | 35 |
| PH85 | 45 |
| PH99 | 65 |